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  通常，在選擇真空泵時，通常根據(jù)實際工況所需的真空度選擇真空泵的類型，并根據(jù)抽氣量選擇真空泵的抽速。 當(dāng)然，還有其他因素會影響真空泵的應(yīng)用。 例如，在真空電子技術(shù)領(lǐng)域中，應(yīng)考慮過程環(huán)境的清潔度，實際過程以及泵中反應(yīng)氣體和反應(yīng)產(chǎn)物的顆粒。

  在一般過程中的應(yīng)用：

  （1）氮氣清潔氮氣清潔的目的是稀釋真空泵內(nèi)部的反應(yīng)氣體； 為泵的軸提供密封； 防止真空泵排氣

  口腔會滲透空氣和濕氣。  N：可以根據(jù)需要調(diào)節(jié)清潔氣體的量。

  （2）配備有冷阱冷阱通常安裝在真空泵的進排氣口。 目的是減少滲入泵中的反應(yīng)產(chǎn)物的量，減輕真空泵的負(fù)擔(dān)，并減輕廢氣處理的負(fù)擔(dān)。

  （3）溫度控制根據(jù)工藝過程中不同的反應(yīng)產(chǎn)物，為防止其粘附在泵，無油機械真空的排氣口

  上泵的加熱或溫度控制。

  （4）在線清洗在通過LPCVD方法制備氯化膜的過程中，會產(chǎn)生副產(chǎn)物。 氯化壓機（NH4C1）可以溶解

  水。 利用此功能，單級立式無油機械真空泵可以在線自動清洗，無需將泵從生產(chǎn)線中移開即可使用清洗液進行清洗。

  CVI]在過程中的應(yīng)用

  當(dāng)使用LPCVD工藝制備絕緣膜或半導(dǎo)體膜時，有機硅烷系統(tǒng)（TEOS）原料處于液態(tài)，并且TEOS與

  副產(chǎn)物混合形成凝膠并堵塞真空泵的排氣口。 此時，應(yīng)在排氣口加一個冷阱。

  當(dāng)使用PECVD工藝制備絕緣膜時，TEOS的反應(yīng)副產(chǎn)物以白色粉末形式通過真空泵，因此不接觸

  接觸式真空泵。 清潔氣體使用NF3，qF61C1F3等與上述反應(yīng)副產(chǎn)物結(jié)合，然后形成另一種副產(chǎn)物。

  有不好的效果。 此時，可以通過降低真空泵的溫度來解決。

  在干法蝕刻工藝中的應(yīng)用

  蝕刻過程可分為鋁金屬蝕刻，多晶硅蝕刻，氧化膜蝕刻等。金屬蝕刻會產(chǎn)生大量反應(yīng)

  副產(chǎn)品，深圳真空泵的負(fù)荷將很大[71。

  使用C Fan，HBr，SF6等氣體蝕刻多晶硅膜，氧化硅膜等，反應(yīng)副產(chǎn)物更少，升華溫度更低。

  氣態(tài)形式從泵中排出。 為了蝕刻鋁金屬，使用了諸如三氯化硼之類的氯化氣體，它將產(chǎn)生大量的四氯化鋁。 升華溫度

  高，很容易粘附在低溫零件上，并且大多數(shù)未反應(yīng)的氣體具有很高的腐蝕性。 氟經(jīng)常在下巴的蝕刻中使用

  化學(xué)系統(tǒng)氣體的特性與氯化系統(tǒng)氣體相似。

  千蝕刻生產(chǎn)通常使用強腐蝕性氣體，例如氟，氯和tri化物。 這些氣體與水結(jié)合成強酸，具有強腐蝕性。 因此，要求泵和管道材料具有高耐腐蝕性。

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