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超臨界二氧化碳清洗設(shè)備問世

來源：   2009年09月16日 15:02   1321
     日前，中科院微電子所自主研發(fā)出超臨界二氧化碳無損傷清洗設(shè)備。應(yīng)用此設(shè)備對硅片進(jìn)行清洗的顆粒明顯減少，且平均粒徑小于傳統(tǒng)清洗的粒徑。相對用等離子法清洗，該方法不會(huì)對硅片造成損傷，同時(shí)可減少工藝步驟，節(jié)省時(shí)間，提高工作效率。
     超臨界二氧化碳無損傷清洗設(shè)備擁有良好的溫度和壓力控制系統(tǒng)，并配有遠(yuǎn)程智能化操作系統(tǒng)，是一個(gè)適合高校和科研機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體工藝平臺(tái)。該設(shè)備有望解決微電子行業(yè)清洗工藝中的許多難題，例如刻蝕以及灰化后高縱深比結(jié)構(gòu)清洗、刻蝕以及灰化后多孔低介電材料清洗、清洗后干燥、半導(dǎo)體器件金屬顆粒的清洗等。
關(guān)鍵詞：清洗設(shè)備
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